铝碳化硅AlSiC（有的文献英文所略语写为SiCp/Al或Al/SiC、SiC/Al）是一种颗粒增强金属基复合材料，采用Al合金作基体，按设计要求，以一定形式、比例和分布状态，用SiC颗粒作增强体，构成有明显界面的多组相复合材料，兼具单一金属不具备的综合优越性能。AlSiC研发较早，理论描述较为完善，有品种率先实现电子封装材料的规模产业化，满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高、使用寿命下降以及电子封装的"轻薄微小"的发展需求。尤其在航空航天、微波集成电路、功率模块、军用射频系统芯片等封装分析作用极为凸现，成为封装材料应用开发的重要趋势。
它具有以下优点：
1. AlSiC具有高导热率（170～200W/mK）和可调的热膨胀系数（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配，能够防止疲劳失效的产生,甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的热导率是可伐合金的十倍，芯片产生的热量可以及时散发。这样，整个元器件的可靠性和稳定性大大提高。
2. AlSiC是复合材料，其热膨胀系数等性能可通过改变其组成而加以调整，因此产品可按用户的具体要求而灵活地设计，能够真正地做到量体裁衣，这是传统的金属材料或陶瓷材料无法作到的。
3. AlSiC的密度与铝相当，比铜和Kovar轻得多，还不到Cu/W的五分之一，特别适合于便携式器件、航空航天和其他对重量敏感领域的应用。
4. AlSiC的比刚度（刚度除以密度）是所有电子材料中*高的：是铝的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是铜的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷好，因此是恶劣环境（震动较大，如航天、汽车等领域）下的首选材料。
5. AlSiC可以大批量加工，但加工的工艺取决于碳化硅的含量，可以用电火花、金刚石、激光等加工。
6. AlSiC可以镀镍、金、锡等，表面也可以进行阳极氧化处理。
7. 金属化的陶瓷基片可以钎焊到镀好的AlSiC基板上，用粘结剂、树脂可以将印制电路板芯与AlSiC粘合。
8. AlSiC本身具有较好的气密性。但是，与金属或陶瓷封装后的气密性取决于合适的镀层和焊接。
9. AlSiC的物理性能及力学性能都是各向同性的。
使用AlSiC材料的意义:
1.可以使集成电路的封装性能大幅提高，使用铝碳化硅材料进行电子封装，使封装体与芯片的受热膨胀相一致，并起到良好的导热功能，解决了电路的热失效问题；
2. 批量使用AlSiC材料，可以降低封装成本。本公司对于长期和大批量的订货实行特别优惠，比目前使用W-Cu、Mo等贵金属材料价格要便宜得多；
3. 有效改良我国航天、军事、微波和其他功率微电子领域封装技术水平，提高功能，降低成本，加快我国航天和军工产品的先进化。例如，过去以可伐（Kovar）材料作为器件封装外壳的地方，如果换作铝碳化硅外壳，重量就可减少为原来的三分之一，而导热性能则增加为原来的十倍。 |
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