FQP13N50C − N 沟道 QFET® MOSFET 500 V、13 A、480 mΩ
FQP13N50C 产品描述
FQP13N50C N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为*大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。
FQP13N50C 产品特性
13 A、500 V、RDS(on)= 480 mΩ（*大值）@ VGS = 10 V、ID = 6.5 A
低栅极电荷（典型值 43 nC)
低 Crss（典型值 20 pF)
100% 经过雪崩击穿测试
FQP13N50C 系列型号
FQP10N20C TO220
FQP10N60C TO220
FQP11N40C TO220
FQP13N50C TO220
FQP19N20C TO220
FQP2N60C TO220
FQP3N80C TO220
FQP4N60 TO220
FQP4N60C TO220
FQP50N06 TO220
FQP5N50C TO220
FQP5N60C TO220
FQP6N40C TO220
FQP7N60 TO220
FQP7N80C TO220
FQP8N60C TO220
FQP8N80C TO220
FQP9N25C TO220
FQP9N50C TO220
FQPF10N60C TO220
FQPF12N60C TO220F
FQPF11N40C TO220F
FQPF13N50C TO220F
FQPF19N20C TO220F
FQPF2N60C TO220F
FQPF5N80 TO220F
FQPF3N80C TO220F
FQPF6N80C TO220F
FQPF4N60 TO220F
FQPF5N50C TO220F
FQPF5N60C TO220F
FQPF6N60C TO220F
FQPF7N60 TO220F
FQPF4N90C TO220F
FQPF6N90C TO220F
FQPF7N65C TO220F
FQPF8N60C TO220F
FQPF7N80C TO220F
FQPF8N80C TO220F
FQPF9N50C TO220F
FQPF9N90C TO251
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