星际金华低价促销【TPC811/SI1016X型n和p沟道场效应晶体管】百分百原装正品，海量库存，现货提供，价格优惠，欢迎来电看货。
TPC811：
FET 类型P 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（*大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（*大值） 48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（*大值） 2180pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（*大值） 1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（*大值）25 毫欧 @ 4A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOP（5.5x6.0）
封装/外壳8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
SI1016X：
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 485mA，370mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（*大值）700 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（*大值）1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（*大值） 0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（*大值） -
功率 - *大值 250mW
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 SC-89-6
以下型号均是我司部分库存产品：
SKY66002-11
SKY66013-11
CM600DU-24F
PM100CL1A120
PM150CL1A120
CM50E3U-24H
RM300CA-9W
CM600HG-130H
CM1800HCB-34N
PM50CLA120
PM25CLA120
PM150CL1A060
6ES7232-0HB22-0XA0
H5TQ2G63FFR-PBC
THC63LVDM83D
PS21965
TPC8111
VSC8601XKN
KLMBG4WEBC-B031
EDFA164A1PB
SI9120DY
SI1016X
EPM570T100I5N
MT29F2G08ABAEAWP
MT29F1G08ABAEAWP
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