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ENJ2005-C晶体管图示仪 ENJ2005-C晶体管图示仪//ENJ2005-C晶体管图示仪

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公 司: 西安易恩电气科技有限公司 
发布时间:2022年09月30日
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电  话: 029-86095858
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手  机: 13759984767
地  址: 中国陕西西安市高陵区融豪工业城
邮  编: 710200
公司主页: http://xaybdz.qy6.com.cn(加入收藏)
公 司:西安易恩电气科技有限公司

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详细说明

    ENJ2005-C晶体管图示仪
系统特征:
● IV曲线显示/局部放大
● 程序保护*大电流/电压,以防损坏
● 品种繁多的曲线
● 可编程的数据点对应
● 增加线性或对数
● 可编程延迟时间可减少器件发热
● 保存和重新导入入口程序
● 保存和导入之前捕获图象
● 曲线数据直接导入到EXCEL
● 曲线程序和数据自动存入EXCEL
● 测试范围广(19大类、27分类)
曲线测试:
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC
VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF
测试参数:
漏电参数:IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数:hFE、CTR、gFS
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数:VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH+、IH-
锁定参数:IL、IL+、IL-
混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数:IL


配置规格:
配置 规格/环境
主极电压 1mV-2000V 尺       寸 450×570×280(mm)
电压分辨率 1mV 质       量 35kg
主极电流 0.1nA-50A 工作电压 200V-240V
扩展电流 100A 电源频率 47Hz-63Hz
电流分辨率 0.1nA 工作温度 25℃-40℃
测试精度 0.2%+2LSB 通信接口 RS232 USB
测试速度 0.5mS/参数 系统功耗 <150w
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