EN-2020A半导体器件动态参数测试系统
系统概述
IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。
EN-2020A半导体器件动态参数测试系统，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。
基础规格
规 格：1800×800×800（mm）
质 量：155Kg
环境温度：15～40℃
相对湿度：小于80%
大气压力：86Kpa～ 106Kpa
电网电压：AC220V±10%无严重谐波
电网频率：50Hz±1Hz
参数/条件
IGBT开通特性测试 IGBT关断特性测试 测试气动夹具
测试参数 开通延迟 tdon 10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃ 关断时间tdoff 10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃ 压力：
5000PA的品牌空压机供气。
控温范围：
25℃-200℃
控温精度：
±1.0℃±1%
器件接触：
20个探针的接触矩阵
上升时间
tr 10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃ 下降时间tf 10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃
开通能量
Eon 10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃ 关断能量Eoff 10-1000ns±5%±10ns
Tj=25℃和125℃
测试条件 集电极电压Vce 50-3500V±5%
根据用户要求定制 集电极电压Vce 50-3500V±5%
根据用户要求定制
集电极电流Ice 50-1500V±5%
根据用户要求定制 集电极电流Ice 50-1500V±5%
根据用户要求定制
负载L 20-1000uH L负载 20-1000uH
栅极电压Vge ±15V±3%±0.2V
短路测试Sct 一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA
二极管反向恢复测试Drr 反向恢复电流 / 反向时间 / 反向di / d |
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