检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
直流参数 MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品； 检测*大电压：7500V 检测*大电流：6000A 国标，IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件 检测*大电压：2500V 检测*大电流：200A 美军标
栅极电阻 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 检测阻抗：0.1Ω～50Ω JEDEC
开关时间 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件； 检测*大电压：1200V 检测*大电流：200A 美军标，国标，IEC等
开关时间 IGBT等模块产品 检测*大电压：2700V 检测*大电流：4000A 国标，IEC
反向恢复 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测*大电压：1200V 检测*大电流：200A 美军标，国标，IEC等
反向恢复 IGBT等模块产品 检测*大电压：2700V 检测*大电流：4000A 国标，IEC
栅极电荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测*大电压：1200V 检测*大电流：200A 美军标，国标，IEC等
栅极电荷 IGBT等模块产品 检测*大电压：2700V 检测*大电流：4000A 国标，IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测*大电压：1200V 检测*大电流：1000A 美军标，国标，IEC等
短路耐量能力 IGBT等模块产品 检测*大电压：2700V 检测*大电流：10000A 国标，IEC
结电容 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 检测*大电压：3000V IEC
参数曲线扫描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线 检测*大电压：3000V 检测*大电流：1500A 温度：-70°C~180°C 美军标，IEC等
热阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管产品 *大功率：250W 美军标，JEDEC
热阻性能 IGBT等模块产品 *大功率：4000W 美军标，JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等产品 HBM*大电压：8000V；MM*大电压：800V 美军标，ANSI，JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE（Si/SiC）、整流桥 检测*大电流：800A 美军标，国标 |
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