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氧化铪靶材HfO2磁控溅射靶材 氧化铪靶材HfO2磁控溅射靶材//氧化铪靶材HfO2磁控溅射靶材

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公 司: 北京京迈研材料科技有限公司 
发布时间:2022年02月15日
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张英 女士 (销售)
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公 司:北京京迈研材料科技有限公司

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详细说明

    科研实验专用氧化铪靶材HfO2磁控溅射靶材
产品介绍
氧化铪(HfO2)常温常压下为白色固体,熔点:2758℃,沸点:5400℃,密度:9.68g/cm3,难溶于水,常温常压下稳定,避免与酸接触;当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪;也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。用于光谱分析及催化剂体系,耐熔材料;是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料,近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注,由于它*可能替代目前硅基集成电路的核心器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO2),以解决目前MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。
产品参数
中文名 二氧化铪 化学式 HfO2 沸点 5400℃
分子量 210.49 熔点 2758℃ 密 度 9.68g/cm3
纯度 99.99%
【关于我们】
服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款,质量保证,售后无忧!
产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。 
加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差,连续长时间溅射易发生靶裂情况,绑定背靶后,可提高化合物靶材的导热性能,提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您,选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶!
我公司采用高纯铟作为焊料,铟焊厚度约为0.2mm,高纯无氧铜作为背靶。
注 :高纯铟的熔点约为156℃,靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化!绑定背靶不影响靶材的正常使用!
建议:陶瓷脆性靶材、烧结靶材,高功率下溅射易碎,建议溅射功率不超过3W/cm2。


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