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功率半导体测试设备 功率半导体测试设备//功率半导体测试设备

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公 司: 深圳市华科智源科技有限公司 
发布时间:2024年06月29日
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陈少龙 先生 (经理)
联系时,请说是在企业录看到的,谢谢!
电  话: 0755-23226816
传  真:
手  机: 18692779548
地  址: 中国广东深圳市深圳市宝安区洲石路739号恒工业城C栋
邮  编:
公司主页: http://hustec.qy6.com.cn(加入收藏)
公 司:深圳市华科智源科技有限公司

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详细说明

    华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;

产品信息:

1、产品型号及名称:IGBT静态参数测试仪

2、产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容

3、VGE*高可达±100V;开启电压VGETH支持两种测试方法;

4、采用插槽式设计结构,便于升级和维护;

5、设备支持SI基,SIC材料的MOS管,IGBT单管及模块,二极管测试,晶闸管测试,

6、自动进行分档测试,既覆盖大功率特征下的测试范围,又可保证小功率器件测试精度

7、支持单点测试,I-V曲线扫描,还具有曲线对比功能;

8、测试数据可存储为Excel文件,WORD报告

9、安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。


测试参数:

ICES 集电极-发射极漏电流

IGESF 正向栅极漏电流

IGESR 反向栅极漏电流

BVCES 集电极-发射极击穿电压

VGETH 栅极-发射极阈值电压

VCESAT 集电极-发射极饱和电压

ICON 通态电极电流

VGEON 通态栅极电压

VF 二极管正向导通压降

整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用


基础能力:


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