碳化硅的长期运行可靠性是目前业内关注的核心问题之一。由于宽禁带半导体器件本身的特性，如大量的界面陷阱导致的阈值电压漂移问题，传统的基于硅器件的失效模型已无法充分覆盖碳化硅的情况；研究表明需要采取动态的老化测试手段来进行评估。
针对SiC分立器件和模块，广电计量参照JEDEC、AECQ101及AQG324标准进行检测验证，能力不仅覆盖用于验证传统Si器件长期稳定性的所有方法，还开发了针对SiC器件不同运行模式的特定试验，在较短时间内了解功率器件的老化特性，见表1。
表1 SiC器件/模块特定可靠性试验
DGS（Dynamic gate stress）测试  
DGS测试在测试过程中，会向DUT（待测器件）的栅极以矩形波信号形式施加应力信号，应力循环作用期间，会同时将DUT调整至所需的应力温度。按照规定的时间间隔要求，暂停施加应力，并测量DUT的Vth。DGS测试主要是用于检查多个SiC芯片并联不均流问题，检测模块Layout对SiC芯片动态Vth漂移、Rdson增加以及效率降低的影响。
DRB（Dynamic reverse bias）测试
DRB测试主要是通过高du/dt的作用，完成对器件内部钝化层结构的充放电，从而达到对SiC器件加速老化的目的。DRB测试能够较好的检测出SiC器件钝化层结构的缺陷，也能够发现生产过程中以及封装材料里的有害离子污染。因此，对于SiC功率器件来说，动态的反偏测试是强烈建议的。
广电计量参照JEDEC、AECQ101及AQG324标准进行检测验证，在较短时间内了解功率器件的老化特性。试验咨询：钟工 150-1416-647 |
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