IV2Q12017T4Z SiC MOSFET

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IV2Q12017T4Z SiC MOSFET//IV2Q12017T4Z SiC MOSFET

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公　司：无锡科微半导体有限司

发布时间：2024年08月23日

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详细说明

IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET
特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·高操作结温度能力
·非常快速和健壮的内在身体二极管
·开尔文门输入缓解驱动电路设计应用
应用
·电动电机驱动
·太阳能逆变器
·高压直流/直流转换器
·开关模式电源

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