SiC MOSFET IV2Q12080T4Z

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SiC MOSFET IV2Q12080T4Z//SiC MOSFET IV2Q12080T4Z

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公　司：无锡科微半导体有限司

发布时间：2024年08月27日

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详细说明

IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET

特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+15V+18V门驱动器
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·175℃操作结温度能力
·超快和健壮的固有身体二极管
·开尔文门输入放松驱动电路设计
·AEC-Q101合格
应用
·电动汽车充电器和OBCs
·太阳能助推器
·汽车压缩机逆变器
·交流/直流电源

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