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氮化镓 (GAN)氧化炉 青岛晨立电子有限公司 氮化镓 (GAN)氧化炉 青岛晨立电子有限公司//氮化镓 (GAN)氧化炉 青岛晨立电子有限公司

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公 司: 青岛晨立电子有限公司 
发布时间:2024年10月23日
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公司主页: http://chenlidianzi.qy6.com.cn(加入收藏)
公 司:青岛晨立电子有限公司

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详细说明

    该设备用于氮化镓(GAN)芯片生产工艺过程中的真空退火、合金、氧化、扩散等工艺。该系统具有精确温度控制系统和真空压力控制系统。

主要参数:

工作温度范围: 600-1280 度。

使用温度:1200 度。

每炉可处理 25 片。标准晶圆舟 25 片。

炉管有效口径:满足 6 寸片,可向下兼容 4、2 寸。

升温功率:18KVA/每管 。

电源:三相五线制: 380V 三相五线。

具有断偶、超温报警以及二次保护功能。


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