CM1114-GH

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发布时间：2024年12月27日

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详细说明

CM1114-GH内置 MOSFET 单节锂电池保护C
CM1114-GH 内置有高精度电压检测电路和延迟电路，通过检测电池的电压、电流，实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。
功能特点
高精度电压检测功能
惟过充电保护电压 4.425 V
过充电解除电压 4.225 V
过放电保护电压 2.500 V
过放电解除电压 3.000 V
放电过流保护电压 0.340 V
充电过流保护电压 -0.030 V
内置低导通内阻 N-MOSFET
·VDS=12V
。ESD Rating:2000V HBM

封装
·DFN 2.43x3.4-4

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