二氧化硅
化学符号：SiO2
分 子 量：60.08
外 观：透明晶体
熔点：1700℃
沸点：2230℃
密 度：2.2-2.7g/cm3
蒸发温度：1800～2200℃，
蒸发源：电子枪
透明范围/nm：200～8000
折射率（波长.nm）：n=1.46(500)
n=1.445(1600)
性 能：可用钽舟加热蒸发，也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发，但由电阻加热蒸发会产生分解，由电子束加热蒸发效果很好。
应 用：二氧化硅用途广泛，主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、绝缘膜、眼镜膜、紫外膜等。
分析报告：（99.99%）in ppm
Fe<16 Pb<10 Ai<15 Cu<3 Zn<18 Mn<5 Gr<10 Mg<11 Ti<8 Ni<12
介绍：
SiO2薄膜具有介电性能稳定、介质损耗小、耐潮性好、温度系数小、呈现压应力，其具有良好的化学稳定性，机械性能极为牢固，无吸湿性等优点。在混合集成电流中，SiO2薄膜广泛应用于做薄膜电容器、薄膜电阻器和电阻网络保护层、多层布线的绝缘层、扩散掩埋层、注射离子阻挡层等。
非晶的SiO2薄膜介电常数为3.9，禁带宽度约为9eV（300K），热导率为1.4W/(m.K)，热扩散率为0.004cm2/s，线膨胀系数为5×10-7K-1，耐压强度为（6～9）×10-6V/cm，电子亲和力为1.0eV。
SiO2薄膜损耗小，介电常数低，常用来制作10～500pF范围的薄膜电容器。利用SiO2薄膜的绝缘性，SiO2可做各种钝化层，多层的绝缘层，掺杂的SiO2膜常用来做多晶硅栅与金属导线之间的绝缘层，可作固态-固态扩散层。 |
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