FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 85A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.1 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(*大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 196nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 9120pF @ 15V
功率 - *大: 2.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
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