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TPC811/SI1016X型n和p沟道场效应晶体管

详细说明

    星际金华低价促销【TPC811/SI1016X型n和p沟道场效应晶体管】百分百原装正品,海量库存,现货提供,价格优惠,欢迎来电看货。



TPC811:

FET 类型P 沟道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss) 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta)

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(*大值) 48nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(*大值) 2180pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散(*大值) 1W(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(*大值)25 毫欧 @ 4A,10V

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SOP(5.5x6.0)

封装/外壳8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)



SI1016X:

FET 类型 N 和 P 沟道

FET 功能 逻辑电平门

漏源极电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 485mA,370mA

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(*大值)700 毫欧 @ 600mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(*大值) 0.75nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(*大值) -

功率 - *大值 250mW

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳SOT-563,SOT-666

供应商器件封装 SC-89-6



以下型号均是我司部分库存产品:

SKY66002-11

SKY66013-11

CM600DU-24F

PM100CL1A120

PM150CL1A120

CM50E3U-24H

RM300CA-9W

CM600HG-130H

CM1800HCB-34N

PM50CLA120

PM25CLA120

PM150CL1A060

6ES7232-0HB22-0XA0

H5TQ2G63FFR-PBC

THC63LVDM83D

PS21965

TPC8111

VSC8601XKN

KLMBG4WEBC-B031

EDFA164A1PB

SI9120DY

SI1016X

EPM570T100I5N

MT29F2G08ABAEAWP

MT29F1G08ABAEAWP



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