氧化铪
化学符号:HfO2
外 观:白色
分 子 量:210.49
密 度:9.7g/cm³
熔 点:2500℃
折射率(波长/nm):1.9-2.1(300)
1.84-2.0(2500)
沸 点:5400℃
线膨胀系数:5.8×10-6/℃(250-1300)
10¯4真空下蒸发温度为:2500℃
蒸发方式:电子束
透明波段/nm:235-2500
介电常数:20.5-23
比 容:0.05μF/cm2
电容温度系数TCC:(1.25~2.50)×10-4/℃
性 能:适于电子枪蒸发,成膜致密稳定。紫外波段的优良材料。不溶于水,耐化学性质,但在高温下能与氢氧化物起反应,膜坚硬;
应 用:主要用于紫外膜、防反膜或高反膜和耐火材料、紫外-近红外多层膜。
HfO2薄膜是一种绝缘氧化物,即可做薄膜电阻,又可做介子薄膜,一般用溅射法沉积制备。
HfO2分析报告:
Ti Fe Mn Mg Cr Ni
0.0 1 0.012 0.001 0.015 0.005 0.009
Al Cu
0.0 1 0.005 |