Toshiba晶体管输出光耦的应用非常广泛，比如TLP620：电源的反馈电路和工业设备的光电接口。东芝可提供各种晶体管输出光耦的产品TLP181GB，包括可支持高达125°C工作温度范围的光耦和支持高达350V集电极—发射极电压（VCEO）的光耦TLP290-4,TLP281-4。可提供间隙和爬电距离为8mm的DIP封装。 欲订购其它具有8mm保证间隙和爬电距离封装的光耦TLP621GR，请在器件型号后添加后缀F， 例如：TLP785F
晶体管输出光耦的列表，您可以查找晶体管输出光耦的完整特性列表。以低输入电流（IF=0.5mA）保证电流传输比（CTR）（TLP182/183/292/293）因采用复合晶体管输出而以高电流驱动（TLP187等）因采用片上VBE而能进行高速开关和保证延迟时间（TLP2301）
晶体管输出光耦TLP521-4的特点
1．以低输入电流（I F =0.5mA）保证电流传输比（CTR）（TLP182/183/292/293）因采用了高功率铟镓砷（MQW）LED，TLP182、TLP183、TLP292和TLP293能在低输入电流（IF=0.5mA）条件下提供高的保证电流传输比（CTR）。因为这些光耦TLP291-4,TLP280-4可同时保证IF=5mA和IF=0.5mA时的CTR值，所以简化了低电流区域的功能设计。
可控硅输出光耦
可控硅输出光耦适合用于控制交流负载。东芝提供具有400V、600V和800V重复关闭状态峰值正向电压（VDRM）的可控硅输出光耦，VDRM=400V的光耦适用于100V交流负载应用，VDRM=600V和800V的光耦适用于200V交流负载应用。您可以选择非零交叉（NZC）可控硅输出光耦用于对可控硅的硬件相位进行控制，或选择零交叉（ZC）可控硅输出光耦用于降低开关噪声。
* 1：可提供间隙和爬电距离为8mm的DIP6和DIP4封装。
欲订购其它具有8mm保证间隙和爬电距离封装的光耦，请在器件型号后添加后缀F，例如：TLP3062F
* 2：5mm用于SO6封装；4mm用于MFSOP6封装
* 3：TLP168J和TLP3064仅提供3mA的IFT。 |
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