| TLP785分为TLP785GB贴片SOP4和TLP785GR插件DIP4两种封装，档位也包含了GB/GR/BL等等。砷化镓红外发光二极管和光电晶体管TLP785GB，TLP785F。适用于办公设备/家用电器/固态继电器/开关电源/各种控制器信号传输不同的电压电路之间。东芝TLP785GR由硅酮光电晶体管的光耦合到砷化镓的红外线在一个四引线塑料DIP（DIP4）发光二极管与具有高隔离电压（AC：5kVRMS（分钟））。TLP785BL：7.62毫米间距型DIP4 TLP785F：10.16毫米间距型DIP4集电极 - 发射极电压（*小）80V电流传输比（*小值）50％排名GB：100％（*小）隔离电压：5000Vrms（*小。 ）UL所申请：UL1577，文件号E67349 BSI下的应用程序：BS EN60065：2002 BS EN60950-1：正在申请2006年SEMKO：EN60065：2002 EN60950-1：2001，EN60335-1：2002选项（D4）类型VDE下应用：DIN EN60747-5-2（注）：当需要一个EN60747-5-2批准的类型，请指定“选项（D4）” 绝对*大额定值（Ta = 25°C）特征符号额定值单位,正向电流IF60毫安正向电流降额（大≥39°C）ΔIF/°ç0.7毫安/°C的脉冲正向电流（注3）IFP 1 A功率损耗PD 90 mW的功耗降额ΔPd产生/°ç1.0毫瓦/度c反向电压VR 5 V LED结温TJ 125°C Collectoremitter电压VCEO 80伏Emittercollector电压VECO 7 V集电极电流IC 50为mA功耗（单回路）PC 150 mW的功耗降额（大≥25°C）（单回路）ΔPC/°ç1.5毫瓦/°C的检测结温TJ 125°C的工作温度范围范围Topr 30～110℃，存储温度范围TSTG 55至125°C引脚焊接温度（10秒）Tsol*大260°C总的封装功耗PT 240兆瓦的总封装功耗降额（大≥25°C）ΔPT/°ç2.5毫瓦/°C隔离电压（注4）BVS 5000 Vrms |
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