IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，如图1所示。其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。
IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。
IPM内部功能机制
IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠，缩短了系统开发时间，也提高了故障下的自保护能力。与普通的IGBT模块相比，IPM在系统性能及可靠性方面都有进一步的提高。
3E041775
3HNE04092-1 DSQC 505/506
6369901-177 DSQC 215
26390351-PF DSQC 224
3HAC020079-001
YB560105-DH DSQC 224
3HAC020633-001
3HAC022313-001
6369901-614
6369901-615
6369901-625
6369901-640
3HAC16014-1 DSQC 562
3HNE8101-1
3E041460
6369901-617
6369901-383
6369901-454
6369901-467
YB560103-BP DSQC 231
3HAC020150-001 DSQC 62 |
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