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公　司：昌达金属回收公司

发布时间：2017年12月31日

有效期：2018年06月29日

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苏先生先生 (经理)

联系时，请说是在企业录看到的，谢谢！

电　　话： 0183-30959589 传　　真：手　　机： 18330959589 地　　址：中国天津河东区工业园区邮　　编： 30000
公司主页：	http://changda991.qy6.com.cn(加入收藏)

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咨询热线;18330959589微信：18330959589
2011年瑞士联邦理工学院洛桑分校(EPFL)科学家制造出全球第一个辉钼矿微晶片(上面有更小且更节能的电晶体)辉钼是未来取代硅基芯片强力竞争者!领导研究的安德拉斯·基什教授表示，辉钼是良好的下一代半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有很广阔的前景秀，而这次美国加州纳米技术研究院制成的辉钼基柔性微处理芯片未来前景将更加广泛。
同硅和石墨烯相比，辉钼的优势之一是体积更小，辉钼单分子层是二维的，而硅是一种三维材料。在一张0.65纳米厚的辉钼薄膜上，电子运动和在两纳米厚的硅薄膜上一样容易，辉钼矿是可以被加工到只有3 个原子厚的

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