芯片IC可靠性测试、静电测试、失效分析
芯片可靠性验证 ( RA)
芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；
高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ；
温度循环试验(TC), JESD22-A104 ；
温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ；
高加速应力试验(HTST / HAST), JESD22-A110；
高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108；
芯片静电测试 ( ESD)：
人体放电模式测试(HBM), JS001 ；
元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；
闩锁测试(LU), JESD78 ；
芯片IC失效分析 ( FA)：
光学检查(VI/OM) ；
扫描电镜检查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH ；
Micro-probe;
聚焦离子束微观分析(FIB)
弹坑试验(cratering)
芯片开封(decap)
芯片去层(delayer)
晶格缺陷试验(化学法)
PN结染色 / 码染色试验
推拉力测试(WBP/WBS)
红墨水试验
PCBA切片分析(X-section)
芯片材料分析
高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)；
SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD)
Raman (Raman光谱)
AFM (微观表面形貌分析、台阶测量)
芯片分析服务：
ESD / EOS实验设计；
集成电路竞品分析；
AEC-Q100 / AEC-Q104开展与技术服务；
未知污染物分析 (污染物分析方案制定与实施，帮助客户全面了解污染物的理化特性，包括：化学成分组成分析、成分含量分析、分子结构分析、晶体结构分析等物理与化学特性分析
材料理化特性全方位分析(有机高分子材料、小分子材料、无
机非金属材料的成分分析、分子结构分析等)；
镀层膜层全方位分析 (镀层膜层分析方案的制定与实施，包括
厚度分析、元素组成分析、膜层剖面元素分析)；
GRGT团队技术能力
•集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控
•集成电路竞品分析、工艺分析
•芯片级失效分析方案turnkey
•芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计
•静电防护失效整改技术建议
•集成电路可靠性验证
•材料分析技术支持与方案制定
半导体材料分析手法
芯片测试地点：广电计量-上海浦东试验室
广电计量失效分析实验室AEC-Q技术团队，执行过大量的AEC-Q测试案例 |
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