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承接CDM、MM与HBM不同静电模型独立接地装置安装工程 承接CDM、MM与HBM不同静电模型独立接地装置安装工程_惠州市惠发科技有限公司-小于0.5Ω接地工程_承接CDM、MM与HBM不同静电模型独立接地装置安装工程

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公 司: 惠州市惠发科技有限公司-小于0.5Ω接地工程
发布时间:2024年10月17日
有 效 期:2025年04月18日
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段进成 先生 (经理)
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公 司:惠州市惠发科技有限公司-小于0.5Ω接地工程

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    承接CDM、MM与HBM不同静电模型独立接地装置安装工程
HBM CDM MM
CDM(Charge Device Model),与MM与HBM一起作为ESD的三种类型之一。随着IC工艺进程的发展与自动化生产流程的普及,CDM已经取代MM与HBM成为芯片失效的主要静电类型,目前CDM造成的失效占比远高于HBM与MM。而现阶段的流程管理与高自动化生产流程,能大幅度降低HBM与MM的发生概率,但是却无法降低CDM的发生概率。随着目前工艺结点的降低,CDM所造成的损害也日益严重。因为CDM的自发特性,CDM防护已经成为芯片设计中不得不考虑的指标。除此之外随着芯片在工业,车规,医疗等领域的大规模推广,CDM防护能力业已成为很多领域的硬性指标。目前CDM的防护也是业界所聚焦的设计难点。


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