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多晶硅定向凝固炉
用途：太阳能级硅锭制造，也可以用于其他半导体材料提纯。
特点：控制精度高，结晶速度自由调节，采用感应熔炼法，增加溶液搅拌，熔炼速度快，定向凝固保温采用特制加热电源，具有三相电流平衡，维护费用低，采用恒温度控制仪，可设置148段加热工艺曲线，炉室采用三室真空炉体，真空度高，抽气速度快。
技术参数
熔炼容量：10-300KG
电源功率：50-400KW
升温速率：40℃
炉温均匀性： ±5℃
极限真空度 ：6.67×10-2Pa
压升率：0.01PaL/S
额定充气压力：0.05Mpa
铸锭方式：下降定向凝固
伺服控制范围： 0.01mm-6mm/Min
定向凝固速率：0.03mm-0.5mm/Min
坩埚上升速度 ：80-100 mm/Min
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