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关于GAL22LV10
在4 ns的*大传输延迟时间GAL22LV10，提供*高的高速性能在PLD市场。该GAL22LV10C CAN接口与3.3V和5V的信号电平。该GAL22LV10是采用莱迪思半导体公司先进的3.3 E2CMOS过程，它结合了电可擦除（E2）的浮栅technology.High高速CMOS擦除时间“（<100毫秒）允许器件重新编程速度和效率。
通用的架构提供了使输出逻辑宏单元（OLMC）将由user.Unique测试电路和可编程细胞完整配置允许交流，直流，并在制造过程中的功能测试*大的设计灵活性。因此，莱迪思半导体公司提供100％的现场可编程性和所有的GAL产品的功能。此外，100擦除/写周期为20年以上和数据保留的规定。
GAL22LV10特点
特点，功能框图
高性能E2CMOS？技术
- 4 ns的*大传输延迟
- 250兆赫的Fmax =
- 3 ns的*大时钟输入到数据输出
- UltraMOS？先进的CMOS技术
3.3V低电压22V10建筑
- 符合JEDEC兼容3.3V的接口标准
- 5V兼容输入
- I / O接口与标准的5V TTL器件（GAL22LV10C）
有源上拉对所有引脚（GAL22LV10D）
E2的电池技术
- 可重构逻辑
- 细胞重新编程
- 100％Tested/100％的产率
- 高速电擦除“（<100毫秒）
- 20年的数据保存
十输出逻辑宏单元
- *大的复杂逻辑设计的灵活性
- 可编程输出极性
预载和上电复位所有寄存器
- 100％的功能可测性
应用包括：
- 胶合逻辑的3.3V系统
- DMA控制
- 状态机控制
- 高速图形处理
- 标准逻辑速度升级
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