SMK0460F
先进的N沟道功率MOSFET
特点
漏极电流（DC）=4A
?源漏耐压：BVDSS= 600V（*小）
?低反向传输电容反向传输电容=9.8pF（典型值）
?低栅极电荷QG =12NC（典型值）
?低导通内阻=2.5Ω（*大）
场效应管主要参数及含义
符号 名称 含义
BVGSS 栅源耐压 栅源之间的SiO2层很薄，耐压一般只有30～40V
BVDSS 源漏耐压 VGS=0，源漏反向漏电流达10uA时的VDS值
VP 夹断电压 在源极接地情况下，为使漏源电流输出为零时的栅源电压
VT 开启电压 当IDS达到1mA时，栅源之间的电压
IGss 漏泄电流 栅一沟道结施加反向电压下的反向电流，结型管为nA级，MOS管为pA级
IDss 饱和漏源电流 零偏压VGS=0时的漏电流
RGS 输入电阻 栅源绝缘电阻，栅一沟道在反偏压下的电阻，结型管为100M Ω，MOS管为10000MΩ以上
RDS 输出电阻 漏极特性曲线斜率的导数，即1/RDS=△ID/△VDS
gm 跨导 表示栅极电压对漏极电流的控制能力
IDs 源漏电流
PD 耗散功率
NF 噪声系数 噪声是管子内载流子不规则运动引起的，场效应管要比晶体管小得多，NF愈小表示管子噪声愈小
CGS 栅源电容 输入电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高
CDS 漏源电容 输出电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高
CGD 栅漏电容 反馈电容，越小越好，减小失真，有利频率特性提高
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以下是高压系列常用型号
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STN3904S
STN3906S
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SMK0965F广泛应用于开关电源、UPS电源、太阳能电源、SMK0825应于机箱电源、逆变器、电动车控制器、SMK0765F应用天充电器、电力电源、照明电源、军工电源、工控电源、SMK1060F应用于定制电源、电焊机、机电设备等。 |
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