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FET特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):30V Id时的Vgs(th)(*大):1.5V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V 在Vds时的输入电容(Ciss):1.4W 安装类型:表面贴装 英文描述:P-Channel
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FET特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):30V Id时的Vgs(th)(*大):1.5V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V 在Vd FET特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):30V Id时的Vgs(th)(*大):1.5V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V 在Vds时的输入电容(Ciss):1.4W 安装类型:表面贴装 英文描述:P-Channel
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公司一贯坚持:“信誉*一、货真价实、公正交易、服务至上”的发展理念和宗旨,向客户提供最满意的服务为已任,通过强大的市场服务网络体系向企业提供规范化、专业化、多元化、全方位的优质服务,真诚欢迎海内外用户前来洽谈合作,共谋发展和建立长期的合作关系!
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