1.电学指标
A-K 极间加压范围: ±100mV--2000V
A-K 极间测流范围: ±100nA--49.90A
A-K 极间加流范围: ±100nA--49.90A
A-K 极间测压范围: ±100mV--2000V
G-K 极间加压范围: ±100mV--20V
G-K 极间测流范围: ±100nA--10A
G-K 极间加流范围: ±100nA--10A
G-K 极间测压范围: ±100mV--20V
*大电压分辨率: 5mV
*大电流分辨率: 1nA
A-K 极间加/测压精度: 1%+10mV
A-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V
G-K 极间加/测压精度: 1%+5mV
G-K 极间加/测流精度: 1%+10nA+20pA/V
电参数测试重复性： 2%
2. 可测试器件（DUT）种类
序号 类型名称 符号
1 二极管 DIODE
2 稳压（齐纳）二极管 ZENER
3 晶体管 TRANSISTOR（NPN/PNP）
4 单向可控硅（普通晶闸管） SCR
5 双向可控硅（双向晶闸管） TRIAC
6 金属-氧化物-半导体场效应管 MOSFET（N-CH/P-CH）
7 结型场效应管 J-FET（N-CH/P-CH）
8 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT（N-CH/P-CH）
9 达林顿阵列器件 DARLINGTON
10* 光电耦合器 OPTO-COUPLER（NPN/PNP）
11* 光电逻辑器件 OPTO-LOGIC
12* 光电开关管 OPTO-SWITCH
13* 固态过压保护器 SSOVP
14* 硅触发开关 STS，S |
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